产品首页压电陶瓷堆栈，分立式，行程5.2 µm至100.0 µm
- Low Voltage Piezo Stacks with 75 V, 100 V, 120 V, or 150 V Max Voltage
- Sub-Millisecond Response Time with No Load
- Free Stroke Displacement Options from 5.2 µm to 100.0 µm
PK3JRP1
100 V PZT with One Hemispherical and One Flat Ceramic Plate
PK2FSP2
75 V PZT with Two Flat Ceramic Plates
PK4FMYP2
150 V BSPT with
Two Flat Ceramic Plates
PK2FMP1
75 V PZT with
One Hemispherical and
One Flat Ceramic Plate
PKFCUP
Conical End Cup
PKFEP4
Flat End Plate
PKFESP
End Hemisphere
Please Wait
| Piezo Selection Guide |
|---|
| Piezoelectric Ceramic Stacks |
| Discrete, Square |
| Discrete, Square with Through Hole |
| Discrete, Round |
| Discrete, Ring |
| Discrete, Hermetically Sealed |
| Discrete, Shear (1D to 3D Positioners) |
| Co-Fired: Square, Square with Through Hole, Round, & Ring |
| Co-Fired or Discrete: Square with Strain Gauges |
| Piezoelectric Crystal Stacks |
| Square |
| Piezoelectric Chips |
| Mounted Piezoelectric Actuators |
| Ultrasonic Piezo Chips & Transducers |
| Vibrating Piezo Actuator |
| 网页功能 | |
|---|---|
 | 点击下方该图标可以弹出一个包含特定规格、机械图纸和曲线图的窗口。 |
特性
- 驱动电压范围：0到75 V、0到100 V、0到120 V或0到150 V
- 自由行程选择范围：5.2 µm到100 µm
- 每个堆栈含多个75 V、100 V、120 V或150 V的压电陶瓷芯片
- 锆钛酸铅(PZT)堆栈的最高工作温度为130 °C或150 °C
- 钪酸铋-钛酸铅(BiScO3-PbTiO3, BSPT)堆栈的最高工作温度为250 °C
- 适用于开环实验装置中
- 预连线(~75 mm长)，易于集成
- OEM应用的理想选择
- 也可单独购买端帽、半球端帽和平面端帽
- 可联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com咨询定制相关问题
Thorlabs的分立式压电陶瓷堆栈由多个压电陶瓷芯片面对面堆叠组成，并使用环氧树脂和玻璃珠粘合起来。组合多个芯片后，这些压电陶瓷堆栈能获得明显大于单个压电陶瓷芯片的自由行程，同时能保持亚毫秒级的响应时间和较低的驱动电压范围。下方提供的这些压电陶瓷堆栈由锆钛酸铅(PZT)、低介电常数PZT(PK3GYXP2)或钪酸铋-钛酸铅(BiScO3-PbTiO3, BSPT)(PK4FMP2)陶瓷材料构成。使用介电常数低的PZT材料可以在较低的驱动电压下实现较大的行程，而BSPT可以提供更高的工作温度(高达250 °C)。
压电陶瓷堆栈的两个安装表面贴有陶瓷端帽。这些压电元件(除了PK3GYXP2和PK4FMYP2)的一端是平面端帽，另一端是平面端帽或半球端帽。半球端帽可以使曲面暴露，与负载连接。如果您的应用要求PK3GYXP2或PK4FMYP2带有半球端帽，请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com。
陶瓷端帽不仅有利于使负载施加的力分布在堆栈的安装表面上，而且有助于引导力沿着驱动器的移动轴。平面端帽和半球端帽有不同的优点。当负载沿着驱动器的平移轴方向时，平面端帽因具有较大的接触面积能实现最大的力传递。而半球端帽使驱动器可以接合离轴负载，因为曲面使作用力沿着驱动器平移轴移动。
Thorlabs的压电芯片采用专有人工智能算法进行单独检测，以确保我们的压电芯片、驱动器和传感器系列产品具有超高质量。
PKJCUP、PKFCUP和PKGCUP锥形尾帽，与直径为1.5到7.0 mm的球面接触兼容，也可用于安全连接负载和促动器。请查看工作标签获取更多关于连接负载与压电促动器的信息、特殊操作注意事项以及已知工作条件，估算这些促动器使用寿命的数据。
每个堆栈的四个侧面上都有绝缘陶瓷层，用于隔离湿气。与环氧树脂镀层相比，陶瓷层可更好地隔离湿气。对于更恶劣的环境，我们还提供密封的分立式压电堆栈。为方便起见，这些压电堆栈预装了75 mm长的电线，并包裹在聚酰亚胺胶带中。我们也可以定制压电芯片的尺寸、电压范围和涂层。请联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com获取更多信息。
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将整块PZT切割成单个小块
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粘合剂烧尽和烧结之后的芯片
Thorlabs的压电陶瓷产品制造
我们的压电陶瓷芯片在中国分公司的生产车间制造而成。在生产过程中，我们可以完全控制其中的每一个环节，以便高效生产高质量的产品，包括定制和OEM设备。下图展现了压电陶瓷芯片制造过程中的一个环节。更多有关制造过程和能力的信息，请看我们的压电陶瓷制造能力页面。
- 将锆钛酸铅(PZT)或钪酸铋-钛酸铅(BSPT)粉末做成的柔性片材堆结成块
- 通过丝网印刷将电极印刷到每一片上
- 将经过印刷的片材层层堆叠
- 利用等静压将堆叠的片材压制成块
- 将整块PZT切成单独的小块
- 通过对进行这些小块热处理来消除残留的溶剂和粘合材料
- 烧结小块，熔合这些压电材料，形成并生长PZT或BSPT晶体
- 进行研磨，使每片芯片的尺寸公差严格控制在±5 µm
- 丝网印刷芯片外电极
- 通过高压极化使每个PZT或BSPT晶体沿同轴方向对准
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PK4DMP2压电陶瓷堆栈示意图
工作注意事项
共烧压电陶瓷芯片、共烧压电陶瓷堆栈和分立式压电陶瓷堆栈
一般而言，Thorlabs的共烧压电陶瓷芯片和堆栈的结构都很相似。这两种结构都由电极层和没有烧结的锆钛酸铅(PZT)压电层交替构成。(共烧压电陶瓷芯片也有钪酸铋-钛酸铅(BiScO3-PbTiO3, BSPT)压电层的版本，适合更高温度的应用。)然后将组合的结构烧结成一个整体结构。极性相反的供给电极连接到结构的对面。每个内部电极电耦合到一个或另一个供给电极，这样，两个相邻内部电极的极性就不会相同。共烧芯片和堆栈之间的最大差异在于，每个内部电极与极性相反的供给电极之间实现电绝缘的方法不同。不同的电绝缘方法会影响驱动器的机械性能。利用两种不同方法来制造驱动器的示意图如图 1所示。
对于压电陶瓷芯片(芯片内绝缘)，极性不同的内部电极相互交替。每个内部电极层比压电陶瓷层的总宽度要短。同一种极性的所有电极的边缘应该与芯片的一边齐平，而同为另一种极性的所有电极的边缘应该与芯片的另一边齐平。由于电极不会从这一边跨到另一边，远离电极的一端便全放置为PZT或BSPT材料。这种围绕着电极末端的PZT或BSPT材料是绝缘的，从而将该电极与极性相反的供给电极隔离了。使用这种隔离电极的方法会在电极边缘形成一个应力区。由于电极边缘一侧的厚度突然发生变化，以及夹在电极之间的PZT或BSPT材料响应所施的电压驱动信号时产生了张力，于是就出现了应力。但是，绝缘PZT或BSPT材料超过电极的边缘则不会出现应力。这种应力限制了利用这种方法所造芯片的最大高度。限制芯片的高度，以减少内部应力，从而不影响使用寿命或性能。之后，芯片会封装在陶瓷层中，这种陶瓷层的耐湿和耐热性远优于环氧树脂涂层。
有一种方法可以提高基于这种芯片的压电驱动器的高度，从而增加最大位移。这种方法就是制造分立式压电堆栈。它们利用玻璃珠环氧树脂，将多个芯片串接在一起，从而构成了分立式压电堆栈。分立式堆栈的长度可以远远长于共烧芯片或堆栈的长度，因而可以实现更大的位移，同时还能保持亚毫秒的响应时间和较低的驱动电压范围。由于这些芯片会封装在陶瓷阻挡层中，分立式堆栈的耐湿耐热性远优于共烧堆栈，后者封装在环氧树脂涂层中。
对于共烧堆栈(堆栈上绝缘)，电极跨越每个压电层的整个宽度。电极的边缘与堆栈的四边都齐平，包括连接极性相反的供给电极的边。内部电极的边缘与供给电极绝缘是通过熔接到堆栈侧面的细玻璃丝实现。细玻璃丝的精密定位不仅确保了电极边缘与供给电极绝缘，还能使施加细玻璃丝的表面区域尽可能地小；外部电极连接所需内部电极的能力不受影响，且所施细玻璃丝的量不会影响驱动器的工作。使用这种方法绝缘的压电驱动器具有全宽度的电极，因而具有均匀的内应力。因此，共烧堆栈的高度可以高于使用芯片内绝缘方法制造的芯片。与分立式堆栈相比，共烧堆栈里活跃的PZ材料百分比较高，因为分立式堆栈包含的是不活跃的玻璃珠环氧树脂粘结层。但共烧压电堆栈涂的是环氧树脂。
电源连接
将电线连接到电极上给整个装置施加正偏压。正极电线应该接收正偏压，其他电线应该接地。给装置施加副偏压会导致机械故障。正极电线有两种识别方法：如产品图像所示是红色的，连接到堆栈一边的电极标有+，如右图所示。(在一些装置上，用点来代替+标记)。接地的电线为黑色，连接到与堆栈正电极相反的一端。
注意：驱动后，压电元件充满电。直接连接正负极存在产生放电、火花甚至故障的危险。我们建议在引线之间使用电阻(>1 kΩ)以释放电荷。
将引线焊接到电极
如果引线必须重新连接到电极，使用的焊接温度不得高于370℃(700 °F)，每个焊接点的接触时间最多为2秒。将引线焊接到电极中间，使焊接点保持尽可能地小。
给压电堆栈施加负载
压电陶瓷是易碎的，且抗拉强度低。因此，需要避免促动器受到侧方应力、横向应力或弯曲应力的负载条件。当连接错误时，外荷载可能会出现抗压能，进而通过弯矩在压电装置内产生高拉伸应力。安装不适当的负载到压电促动器会出现内部应力，从而损坏促动器。为避免该问题，压电促动器应该施加一个外加负载，这样使得应力直接沿着促动器的替代轴方向。负载应该集中且在促动器的安装表面尽可能均匀应用。当负载的平坦接触面施加到促动器的平坦安装表面时，确保两个表面高度平整和光滑，可使得两个表面接触时平行度很好。如果外加负载与促动器的替代轴成一定角度时，使用一个配有半球端帽或挠性接头的促动器，从而实现压电堆栈安全的负载。
为适应各种负载条件，购买这些分立式压电堆栈时可以顺带两个平面端帽，或一个平面端帽和一个半球端帽。此外，Thorlabs还提供锥形端帽，其凹面与(Ø1.5 mm到Ø7.0 mm)的半球或曲面接触。为施加负载到压电堆栈，我们建议使用环氧树脂，可以解决温度低于80 °C(176 °F)的情况，譬如我们的353NDPK，TS10环氧树脂或Loctite® Hysol® 9340。对于BSPT压电陶瓷芯片，我们推荐使用固化温度低于120°C、熔点高于250°C的无机粘合剂；使用353NDPK环氧树脂是安全的，但是在250°C时强度会降低，因此应施加预载荷以保持机械结构。负载只能安装在一个已经配有平面端帽或半球端帽的压电堆栈表面上；促动器的另一边没有位移，安装一个负载到非位移面可能会导致促动器的机械故障。下面讨论了一些施加负载到覆有两种端帽的压电堆栈的正确和错误的方法。
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使用配有平板堆栈的杠杆臂的驱动(A，错误)和半球板(B，正确)
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关于将负载安装到PZT驱动器，适当地和不适地各种连接方法。
左图是关于使用压电堆栈来驱动杠杆臂的错误方法(A)和正确方法(B)。正确的方法使用一个半球端帽，所以可以忽略杠杆臂的角度，施加的力总是沿着促动器的位移轴。在离左边较远的图显示了堆栈和杠杆臂错误的接触，当负载的力全部作用于堆栈一端的边缘时，会危及堆栈。这种受力不均的负载会使促动器内产生危险的应力。
右图是关于平底，离轴负载与压电堆栈接触时，一个错误的方法(靠近右边，A)和3个正确的方法。方法A和B分别对应错误和正确的方法，如左图所示。正确方法C是一个锥形端帽，诸如PKFCUP，作为一个接触面。平面贴附于负载的相配表面，曲面匹配陶瓷片的半球圆顶上。在正确方法D的例子中，一个挠性调整架作为负载的离轴平坦安装表面和促动器的平坦安装表面之间的连接面。该挠性调整架既确保了负载在促动器表面上均匀分布，又保证了负载所受应力沿着促动器的位移轴。
在高频率动态条件下工作
如果在高频率下工作，有必要实行外部温度控制系统。这些装置的最高工作温度为130 °C (266 °F)，高频率工作会导致压电装置内部的温度升高。对于更高温度的应用，BSPT压电装置的最高工作温度为250°C。对于产品的设备温度与驱动电压频率间的依赖关系，可以点击下面的信息图标访问。装置的温度不能超过其规定的最高工作温度。
施加给定负载，估算谐振频率
对于许多应用来说，一个重要的限制因素是压电促动器改变其长度的速率。长度的改变速率取决于一些因素，包括压电促动器的谐振频率、促动器的绝对最大带宽、压电装置可以产生的最大电流、压电堆栈的电容和驱动信号的振幅。电压导致延伸的长度是一个与所施驱动促动器的电压的振幅，以及压电堆栈的长度相关的函数。电容越高，驱动器的尺寸改变越小。
施加电压的快速变化导致压电堆栈的尺寸快速变化。所施加的电压大小决定了堆栈的延伸。假设驱动电压信号类似于阶跃函数，Tmin为最小时间，促动器在初始值和最终值过渡的所需长度大约为谐振频率周期的三分之一。如果此处未施加负载到压电堆栈，其谐振频率为ƒo，最小响应时间为：
在达到该延伸后，促动器在此长度周围会有阻尼振荡。可以实施控制来缓解该阻尼振荡，但可能会因此使促动器的响应变慢。
施加负载到促动器将会减小压电堆栈的谐振频率。已知促动器未施加负载的谐振频率，堆栈的质量：m，负载的质量M，负载的谐振频率(ƒo') 可以估算为：
直流驱动电压的条件下估算装置的使用寿命
压电装置的使用寿命是与工作温度、施加电压和相对湿度条件相关的一个函数。施加直流电压时，压电装置电极处因湿度产生的电解反应会导致使用寿命缩短。电解反应产生氢，导致金属枝晶从向阳极生长转变为向阴极生长。而释放的氢会发生化学反应，降解压电材料。连接阴极和阳极的枝晶就导致了电流泄漏水平的升高。出故障的压电装置就是那些漏泄电流水平高于既定阈值的装置。
Thorlabs压电装置的四个侧面是绝缘的陶瓷防潮层，能有效减少湿度对装置使用寿命的影响。在估算压电装置使用寿命方面，Thorlabs对陶瓷绝缘、低电压的压电驱动器进行了环境测试，并利用测试结果创建了一个简单的模型，可以在已知湿度、温度和施加电压的工作条件下，以小时为单位，估算平均寿命时间 (MTTF)。将三个因素(分别对应了工作温度、相对湿度和装置的分数电压)相乘来计算MTTF。分数电压通过用设备指定的最大驱动电压除以工作电压计算。每个参数系数可以从下面的曲线图中读出，或者也可以通过下载绘图数据值和插值计算。
在下面三个曲线图中，每个曲线中的实线部分表示Thorlabs进行测试的条件范围。这些条件与我们客户的条件非常相关。虚线延伸到实线的部分表示外推的数据，体现了装置工作时可能遇到的更多情况。
产生这些温度、电压和湿度系数曲线图的数据源自在六种不同工作条件下，从测试装置所获测量结果的分析。在每种条件下测试十个不同的装置，每种条件组合的工作电压、装置温度和相对湿度都不相同。装置显示漏泄电流水平超过阈值100 nA时，就被记录为出现故障。根据温度、湿度和电压估算使用寿命前提假设了：
- MTTF = fV(V) * fT(T) * fH(H)
- 电压的幂定律：fV(V) = A1Vb1
- 相对湿度的指数关系：fH(T) = A2ecH
- 温度的阿伦尼斯关系：fT(H) = A3eb2/T
其中，A1、A2、A3、b1、b2和c为常数，根据测量结果分析数据确定。V是直流工作电压，T是装置温度，H是相对湿度。由于MTTF 与每个系数的数学关系不同，MTTF与每个系数的相关性就可以确定。这些数据都显示在上面曲线图中。 上面曲线中标记为蓝色阴影的区域为实验数据。曲线的虚线区域是外推的。
这些装置的使用寿命测试仍在进行，额外的数据到时可以在此公布。为有助于控制温度，请查看我们的半导体制冷片。可以使用我们的USB温度和湿度记录仪监测温度和湿度。
| Posted Comments: | |
Ben Huang
(posted 2024-10-21 12:03:55.29) Hi, I am interested in the PK3JMP2. Is it food-safe? Thank you! jdelia
(posted 2024-10-22 03:58:36.0) Thank you for contacting Thorlabs. These piezoelectric ceramics are industrial products and not verified to be food-safe. Saptarshi BIswas
(posted 2024-10-11 10:30:02.1) Hello,
I have a question regarding PK2FMP2 model.
I see there is a voltage vs diplacement curve given in the spec sheet. However, we are using this model for building up the interferometer. So, the relation between voltage and displacement is crucial for us. Is it possible to send to data to us, so we can have a proper fit, and get requisite relation for proper callibration for our setup?
Thank you
Saptarshi
Department Physik - Fakultaet IV
Universitaet Siegen
Walter-Flex-Straße 3 END-213
57068 Siegen, Germany
Tel.: +49 (0) 271 740 5514 mgarodia
(posted 2024-10-14 12:34:10.0) Thank you for your feedback! Please refer to our response to your question in the post response below. Our team in Germany (europe@thorlabs.com) has contacted you directly via email to discuss this further. Saptarshi BIswas
(posted 2024-10-07 10:53:06.5) I bought PK2FMP2, and I am aware of the Voltage, Displacement relationship curve shown on the spec sheet.
I am building up an interferometer, and I am need a formula for proper characterization of the result to voltage displacement relationsip.
Is it possible to send the data to us? or any kind of conversion formula?
If I get the data, that would be more useful as I can fit the data for proper relation to use in my setup. mgarodia
(posted 2024-10-11 09:49:50.0) Thank you for contacting Thorlabs. The displacement tolerance of PK2FMP2 is 15%; therefore, the voltage-displacement relationship curve shown on the spec sheet is typical. The batch difference, the applied voltage difference, the load, and the temperature will affect the displacement, so we recommend measuring the displacement on your own if an accurate voltage-displacement curve is necessary. Besides, the voltage increase and decrease will be related to different displacements. If a better voltage-displacement control is needed, we recommend trying the close loop version, PK2FMC2, with strain gauge sensors attached.
The typical data of the voltage-displacement relationship curve for PK2FMP2 can be downloaded from this link: https://view.officeapps.live.com/op/view.aspx?src=https%3A%2F%2Fwww.thorlabschina.cn%2Fimages%2Ftabimages%2FPK2FMP2_data.xlsx&wdOrigin=BROWSELINK Nicolas Heinz
(posted 2023-10-27 13:43:37.943) Hi,
I have a question regarding the use of the ball ends for piezo stacks.
Is it recommended to use a piezo stack with ball ends and end cups on each end of the piezo stack or is it sufficient so only use a ball end/end cup on one end and a flat plane on the other end?
best regards
Nicolas Heinz cdolbashian
(posted 2023-11-13 04:33:36.0) Thank you for contacting Thorlabs! We usually only need the end caps or end hemispheres on the end of the piezo actuator we attached the load. These are used to avoid loading conditions that subject the actuator to lateral, transverse, or bending forces. You can find more information under the "Operation" tab. Magdoom Kulam
(posted 2022-03-31 14:43:41.38) I have question regarding the piezo (PK4GA7P2). Does this piezo contain magnetic components ? Is it MRI safe? cdolbashian
(posted 2022-04-01 03:31:51.0) Thank you for contacting Thorlabs. We have not yet thoroughly tested our piezo about the MRI safety. But we know piezo in general is MRI safe (PZT and the silver palladium electrodes are neither generating magnetic field while working, nor affected by regular magnetic field used for MRI). However, the piezo stack (PK4GA7P2) consists of not only piezo but also the tin solder, tinned copper buss wires and the Al2O3 ceramics caps. Therefore, it is hard for us to say our piezo stack (PK4GA7P2) is MRI safe or not without a professional test. gyeonuk kim
(posted 2022-02-18 18:16:25.52) If you look at the specifications of the product i inquired about, it is written as recommended load (360lbs).
I wonder if the meaning of the sentence guarantees a displacement of 20 um even if I attach a mirror with a weight of 136 kg to the PZT.
According to past laboratory experiments, when the frequency of the PZT increases, the amplitude may decrease due to the inertia of the measurement target.
I am looking for a PZT that can guarantee a certain displacement at high frequencies even when the weight of the object to be measured increases.
Therefore, a product called APFH720f is also being considered.
As a conclusion, I am curious what is the maximum weight and frequency of an object that can give a displacement of 20 um using the PZT. cdolbashian
(posted 2022-02-22 09:21:11.0) Thank you for contacting Thorlabs. Our displacement is specced for a quasi-static driving voltage. For high frequency, you are right that the inertia of the mirror will influence the response. We would recommend to use a spring to push the mirror back to the piezo as preloading. We have published piezoelectric tutorial on our website for reference, which can be found here: https://www.thorlabs.com/newgrouppage9.cfm?objectgroup_id=5030. The equation (13) shows how to calculate the adjusted resonant frequency with the addition of a load, which could be a reference of maximum response frequency. We will reach out to you directly to see if we can provide further assistance. Alex Fellows
(posted 2020-08-17 09:33:17.813) I recently set-up one of these piezo stacks, connecting it to one of the connections of an open-loop 3-axis controller through a BNC cable. All was working well and I was getting full range out of the stack for a few cycles up to 100V). However, now, it won't go much over ~4V (the controller is working fine when the BNC is unplugged). Is there something I can do to fix this? YLohia
(posted 2020-08-21 10:26:04.0) Thank you for contacting Thorlabs. It appears that there may be a leakage current failure of the piezo. We have reached out to you directly to troubleshoot this further. tsubasa takanami
(posted 2020-04-23 11:10:19.517) 多段チップ型ピエゾアクチュエータPK2FVP1について2点質問があります。
1.仕様の推奨荷重(Load(Recommended))の注記で、推奨荷重で使用した場合に最大変位が発生する（the maximum displacement occurs when used with the recommended load.）と記載がありましたが、最大変位が発生するのは無負荷のFree Strokeの時ではないでしょうか。
2.全長が41.9mmとありますが、ピエゾブロック（16列×2.4mm）及びエンドプレート（2.5mm＋0.4mm）を足すと41.3mmとなります。接着層などの影響でこのような誤差が発生しているのでしょうか。
以上、よろしくお願いいたします。 YLohia
(posted 2020-04-23 09:42:11.0) Thank you for contacting Thorlabs. An Applications Engineer from our team in Japan will reach out to you directly. Julien Renard
(posted 2019-11-13 15:12:34.283) Hello,
we are using the PK4GA3P2 stacks in a practical with students at the university. They use the stack to move the mirror of an interferometer and their goal is to measure the stacks characteristics. In order to extract the piezoelectric coefficient of individual layers we would need to know the total number of ceramic layers. Is this an information you could provide? This would be highly appreciated.
Regards nbayconich
(posted 2019-11-15 09:30:00.0) Thank you for contacting Thorlabs. We cannot publish this information on our webpage. Our Tech Support representatives will reach to you via email regarding these details. user
(posted 2019-05-10 12:15:38.45) Hello,I was wondering if the piezoelectric stack produces electric power when force is applied to it? nbayconich
(posted 2019-05-13 01:32:32.0) Thank you for contacting Thorlabs. Yes a piezo can be used to generate and electric field when a force is applied to the the device. The strength of the electric field generated by the actuator will be dependent on the piezo's d33 charge constant and the stress applied to the actuator. I will reach out to you directly to discuss your application. tfrisch
(posted 2016-08-25 09:06:25.563) Hello Felix, thank you for contacting Thorlabs. We can offer these, but there will be a greater risk of short circuit. I have emailed you directly about your application. -Tyler at Thorlabs USA felix.jaeckel
(posted 2016-08-05 08:49:41.103) Hi!
Is it possible to get PK4FA2P2 without any ceramic endplates?
Thanks!
Felix |
放大压电陶瓷堆栈，带半球端帽和平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK2JA2P1 | | 8.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 10.0 mm | 140 kHz | 1.00 µF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK2FMP1 | | 11.2 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 12.6 mm | 115 kHz | 4.2 µF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK2JQP1 | | 18.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 20.0 mm | 65 kHz | 2.25 µF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK2FQP1 | | 19.6 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 20.1 mm | 65 kHz | 7.3 µF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK2FSP1 | | 25.2 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 25.1 mm | 55 kHz | 9.4 µF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK2JUP1 | | 30.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 32.2 mm | 40 kHz | 3.75 µF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK2FVP1 | | 44.8 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 41.9 mm | 30 kHz | 16.5 µF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
压电陶瓷堆栈，带两个平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK2JA2P2 | | 8.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 9.0 mm | 140 kHz | 1.00 µF | 360 N (81 lbs) | N/A |
| PK2FMP2 | | 11.2 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 10.5 mm | 115 kHz | 4.2 µF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK2JQP2 | | 18.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 18.8 mm | 65 kHz | 2.25 µF | 360 N (81 lbs) | |
| PK2FQP2 | | 19.6 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 18.0 mm | 65 kHz | 7.3 µF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK2FSP2 | | 25.2 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 23.0 mm | 55 kHz | 9.4 µF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK2JUP2 | | 30.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 31.0 mm | 40 kHz | 3.75 µF | 360 N (81 lbs) | |
| PK2FVP2 | | 44.8 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 39.8 mm | 30 kHz | 16.5 µF | 1000 N (225 lbs) |
放大压电陶瓷堆栈，半球端帽和平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK3JMP1f | | 8.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 12.0 mm | 115 kHz | 420 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK3CMP1 | | 9.5 µm | 2.0 mm × 2.0 mm × 11.5 mm | 115 kHz | 240 nF | 160 N (36 lbs) | ~2.0 mm |
| PK3JMAP1 | | 10.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 12.0 mm | 115 kHz | 620 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK3JRP1f | | 17.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 22.1 mm | 60 kHz | 850 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK3JRAP1 | | 21.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 22.1 mm | 60 kHz | 1250 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK3JUP1f | | 25.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 32.2 mm | 40 kHz | 1275 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK3JUAP1 | | 31.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 32.2 mm | 40 kHz | 1850 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
压电陶瓷堆栈，两个平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK3JMP2f | | 8.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 10.9 mm | 115 kHz | 420 nF | 360 N (81 lbs) | N/A |
| PK3CMP2 | | 9.5 µm | 2.0 mm × 2.0 mm × 10.9 mm | 115 kHz | 240 nF | 160 N (36 lbs) | |
| PK3JMAP2 | | 10.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 10.9 mm | 115 kHz | 620 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK3JRP2f | | 17.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 20.9 mm | 60 kHz | 850 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK3JRAP2 | | 21.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 20.9 mm | 60 kHz | 1250 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK3JUP2f | | 25.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 31.0 mm | 40 kHz | 1275 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK3JUAP2 | | 31.5 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 31.0 mm | 40 kHz | 1850 nF | 360 N (81 lbs) |
放大注意：此压电堆栈由低介电常数锆钛酸铅(PZT)陶瓷材料制成，其电容比外形和额定电压都与之相同的标准PZT压电堆栈低。
压电陶瓷堆栈，两个平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK3GYXP2 | | 42.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 36.0 mm | 35 kHz | 5.5 µF | 1900 N (427 lbs) | N/A |
放大注意：下方的绿色阴影行表示使用钪酸铋-钛酸铅(BiScO3-PbTiO3, BSPT)压电陶瓷制成的堆栈，工作温度更高(最高达到250 °C)。其他压电陶瓷芯片都是使用锆钛酸铅(PZT)制成的，最高工作温度为130 °C。
压电陶瓷堆栈，带半球端帽和平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK4DLP1 | | 5.2 µm | 2.5 mm × 2.5 mm × 6.1 mm | 250 kHz | 100 nF | 250 N (56 lbs) | ~2.5 mm |
| PK4GA2P1 | | 8.5 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 12.0 mm | 130 kHz | 1400 nF | 1960 N (441 lbs) | ~7.0 mm |
| PK4JMP1 | | 8.8 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 10.0 mm | 140 kHz | 250 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK4DMP1 | | 9.2 µm | 2.5 mm × 2.5 mm × 11.0 mm | 125 kHz | 175 nF | 250 N (56 lbs) | ~2.5 mm |
| PK4CMP1 | | 9.5 µm | 2.0 mm × 2.0 mm × 11.5 mm | 115 kHz | 110 nF | 160 N (36 lbs) | ~2.0 mm |
| PK4FA2P1 | | 9.5 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 11.0 mm | 140 kHz | 750 nF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK4GQP1 | | 19.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 21.1 mm | 70 kHz | 3.0 µF | 1960 N (441 lbs) | ~7.0 mm |
| PK4JQP1 | | 19.8 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 20.0 mm | 65 kHz | 550 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK4FQP1f | | 20.0 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 20.1 mm | 70 kHz | 1600 nF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK4HQP1 | | 20.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 22.6 mm | 65 kHz | 6.0 µF | 4000 N (900 lbs) | ~10.0 mm |
| PK4JUP1 | | 33.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 32.2 mm | 40 kHz | 930 nF | 360 N (81 lbs) | ~3.0 mm |
| PK4GYP1 | | 38.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 39.1 mm | 35 kHz | 6.0 µF | 1960 N (441 lbs) | ~7.0 mm |
| PK4HYP1 | | 40.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 40.7 mm | 34 kHz | 13.0 µF | 4000 N (900 lbs) | ~10.0 mm |
| PK4FYP1 | | 41.0 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 38.1 mm | 34 kHz | 3500 nF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK4GA3P1 | | 50.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 48.1 mm | 27 kHz | 9.0 µF | 1960 N (441 lbs) | ~7.0 mm |
| PK4HA3P1 | | 50.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 49.7 mm | 27 kHz | 15.0 µF | 4000 N (900 lbs) | ~10.0 mm |
| PK4FXP1 | | 57.5 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 52.2 mm | 25 kHz | 4800 nF | 1000 N (225 lbs) | ~5.0 mm |
| PK4GA7P1 | | 100.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 93.5 mm | 14 kHz | 16.0 µF | 1960 N (441 lbs) | ~7.0 mm |
压电陶瓷堆栈，带两个平面端帽
| Item #a | Info | Displacement (Free Stroke) | Stack Dimensionsb | Resonant Frequencyc | Capacitance | Blocking Forced | Hemisphere Diametere |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PK4DLP2 | | 5.2 µm | 2.5 mm × 2.5 mm × 5.0 mm | 250 kHz | 100 nF | 250 N (56 lbs) | N/A |
| PK4GA2P2 | | 8.5 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 9.0 mm | 130 kHz | 1400 nF | 1960 N (441 lbs) | |
| PK4JMP2 | | 8.8 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 9.0 mm | 140 kHz | 250 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK4DMP2 | | 9.2 µm | 2.5 mm × 2.5mm × 10.0 mm | 125 kHz | 175 nF | 250 N (56 lbs) | |
| PK4CMP2 | | 9.5 µm | 2.0 mm × 2.0 mm × 10.9 mm | 115 kHz | 110 nF | 160 N (36 lbs) | |
| PK4FA2P2 | | 9.5 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 9.0 mm | 140 kHz | 750 nF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK4FMYP2g | | 10.0 µm | 5.0 mm x 5.0 mm x 10.0 mm | 130 kHz | 770 nF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK4GQP2 | | 19.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 18.0 mm | 70 kHz | 3.0 µF | 1960 N (441 lbs) | |
| PK4JQP2 | | 19.8 µm | 3.0 mm × 3.0mm × 18.8 mm | 65 kHz | 550 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK4FQP2 | | 20.0 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 18.0 mm | 70 kHz | 1600 nF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK4HQP2 | | 20.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 18.0 mm | 65 kHz | 6.0 µF | 4000 N (900 lbs) | |
| PK4JUP2 | | 33.0 µm | 3.0 mm × 3.0 mm × 31.0 mm | 40 kHz | 930 nF | 360 N (81 lbs) | |
| PK4GYP2 | | 38.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 36.0 mm | 35 kHz | 6.0 µF | 1960 N (441 lbs) | |
| PK4HYP2 | | 40.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 36.0 mm | 34 kHz | 13.0 µF | 4000 N (900 lbs) | |
| PK4FYP2 | | 41.0 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 36.0 mm | 34 kHz | 3500 nF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK4GA3P2 | | 50.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 45.0 mm | 27 kHz | 9.0 µF | 1960 N (441 lbs) | |
| PK4HA3P2 | | 50.0 µm | 10.0 mm × 10.0 mm × 45.0 mm | 27 kHz | 15.0 µF | 4000 N (900 lbs) | |
| PK4FXP2 | | 57.5 µm | 5.0 mm × 5.0 mm × 50.0 mm | 25 kHz | 4800 nF | 1000 N (225 lbs) | |
| PK4GA7P2 | | 100.0 µm | 7.0 mm × 7.0 mm × 90.0 mm | 14 kHz | 16.0 µF | 1960 N (441 lbs) |
放大- 兼容我们的压电堆栈(上有售)
- 锥形尾帽接纳球形接触件:
- 直径从Ø1.5 mm到Ø3.0 mm (PKJCUP)
- 直径从Ø2.6 mm到Ø5.0 mm (PKFCUP)
- 直径从Ø3.6 mm到Ø7.0 mm (PKGCUP)
- 将所施加的应力限制在轴向方向
- 每包10个出售
PKJCUP、PKFCUP和PKGCUP是416不锈钢锥形尾帽，与我们的PZT堆栈一起使用。锥形尾帽可接收直径从1.5至3.0 mm(PKJCUP)、2.6至5.0 mm(PKFCUP)或3.6到7.0 mm (PKGCUP)的球形接触件。PZT促动器结合使用球形接触件，确保了施加的应力被限制在轴向方向，降低了应力所致故障发生的概率。它们可以粘附到PZT堆栈或被驱动的机械装置的平面上。如果将尾帽粘附到PZT堆栈本身，我们建议使用固化温度低于80 °C(176 °F)的环氧树脂，比如353NDPK或TS10环氧树脂，或Loctite® Hysol® 9340。
放大| End Hemispheres | Flat End Plates | ||
|---|---|---|---|
| Item # | Diameter | Item # | Dimensions |
| PKCESP | 2.0 mm | PKCEP4 | 2.0 mm x 2.0 mm x 0.4 mm |
| PKDESP | 2.5 mm | PKDEP4 | 2.5 mm x 2.5 mm x 0.4 mm |
| PKJESP | 3.0 mm | PKJEP4 | 3.0 mm x 3.0 mm x 0.4 mm |
| PKFESP | 5.0 mm | PKFEP4 | 5.0 mm x 5.0 mm x 0.4 mm |
| PKGESP | 7.0 mm | PKGEP4 | 7.0 mm x 7.0 mm x 0.4 mm |
| PKHESP | 10.0 mm | PKHEP4 | 10.0 mm x 10.0 mm x 0.4 mm |
- 半球端帽和平面端板都有5种尺寸
- 半球端帽提供单点接触来进行促动
- 平面端板在压电元件表面上的接触点处均匀分布力
- 一包以16个或25个出售
我们的PZT堆栈中使用的铝质半球端帽和平面端板也单独提供5种尺寸(见右表)。半球端帽可以在PZT堆栈与杠杆之间产生单个接触点。另外，半球端帽可以与兼容的锥形尾帽一起使用。平面端板用于在压电堆栈或芯片的整个端面上的接触点处均匀分布力。选择半球端帽或平面端板来粘附到压电堆栈的端面时，将半球或平板的底部表面积与压电堆栈的横截面匹配非常重要，从而可以确保力均匀分布在表面上。半球端帽的直径公差为±0.1 mm，且平面端板的尺寸公差为±0.04 mm。
压电陶瓷堆栈, 分立式行程大于5.2 µm